氧化銦納米纖（xiān）維

來源：電紡期刊

In₂O₃ 作為一種典型的N 型半導體材料，具有一個較寬的直（zhí）接帶隙（3.75eV）和一個間接帶隙（xì）（2.62eV）。由於In₂O₃ 具（jù）有較高的（de）電導率、化學穩定性和較低的電子（zǐ）親和力，使In₂O₃ 在半導體傳感器、平板顯示器、太陽能（néng）轉化等微電子領域表現出（chū）極大的應用前景。

據相關文（wén）獻報道，In₂O₃ 的微觀尺寸、形貌和結構特點對In₂O₃ 半（bàn）導體器（qì）件（jiàn）的性能有著重要影響。特別是對於氣體傳感器，其性能與氧化銦的（de）有（yǒu）效表麵區域和孔隙率有著極（jí）大的（de）關係（xì）。對於檢測（cè）低濃度狀（zhuàng）態下的汽（qì）油、酒（jiǔ）精、氨（ān）氣、丁烷等有害（hài）氣體方麵，基於氧化銦材料的氣體（tǐ）傳感器有著*的靈敏度。

例如（rú），直徑為60nm 的In₂O₃ 纖（xiān）維（wéi）對（duì）乙醇（chún）具有快速響應/恢複能力，可用（yòng）來製作高性能氣敏傳感器；摻雜（zá）Pd 的（de）In₂O₃ 納米纖維對於乙醇的響應信號明顯（xiǎn）特（tè）高，檢測下限低至1ppm；通過Ag 和Pt 的摻雜，In₂O₃ 電紡纖維可對甲醛和H₂S顯示出良好的響應和（hé）選擇性，在有毒氣體的檢測方麵有潛在（zài）的（de）應用。

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